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武汉理工大学材料科学与工程学院导师介绍 郭冬

发布:2013-04-26  来源:
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男,博士,副教授

出生年月:1976.9

E-mail:guody@whut.edu.cn

通讯地址:湖北省武汉市武汉理工大学国家重点实验室FGM组(430070)

教育背景1995年9月-1999年6月 武汉工业大学材料学院硅酸盐工程专业,获得学士学位

1999年9月-2002年6月 武汉理工大学材料学院材料学专业,获得硕士学位

2002年9月-2006年1月 华中科技大学电子科学与技术系微电子学与固体电子学专业,获得工学博士学位

工作经历2006年2月-2008年3月 武汉大学物理科学与技术学院,博士后

2008年4月- 武汉理工大学材料学院

1、新型铁电、多铁性薄膜材料及其在铁电存储器方面的应用研究

研究方向

2、铁电、多铁纳米管阵列

3、阻尼材料

部分发表论文1. Dongyun Guo, Chuanbin Wang, Qiang Shen, Lianmeng Zhang, et al. Effect of Mo substitution on ferroelectric properties of Bi3.6Ho0.4Ti3O12 thin films prepared by sol-gel method. Applied Physics Letters, 2008, 93: 262907

2. Dongyun Guo, Lianmeng Zhang, Meiya Li, et al. Effect of Ho Content on Microstructure and Ferroelectric Properties of Bi4-xHoxTi3O12 Thin Films Prepared by Sol-gel Method. Journal of American Ceramic Society, 2008, 91: 3280-3284

3. Guo Dongyun, Li Meiya, Liu Jun, et al. Preparation and ferroelectric properties of Bi3.4Ce0.6Ti3O12 thin films grown by sol-gel mechod. Sci China Ser E – Tech Sci, 2008, 51: 10-15

4. Guo Dongyun, Li Meiya, Wang Jing, et al. Ferroelectric Properties of Bi3.6Ho0.4Ti3O12 Thin Films Prepared by Sol-gel Method. Applied Physics Letters, 2007, 91: 232905

5. Guo Dong-yun, Li Mei-ya, Liu Jun, et al. Ferroelectric properties of Bi4-xLaxTi3O12 (x=0, 0.75) thin films prepared by sol-gel method. Materials Science and Engineering B, 2007, 142: 135-138

6. Guo Dong-yun, Li Mei-ya, Liu Jun, et al. Ferroelectric properties of Bi4Zr0.5Ti2.5O12 thin films on LaNiO3 bottom electrode by sol-gel method. Sci China Ser E – Tech Sci, 2007, 50: 472-477

7. Guo Dong-yun, Li Mei-ya, Pei Ling, et al. Ferroelectric properties of Bi3.25La0.75Ti3O12 thin Films prepared by sol-gel method. Sci China Ser E – Tech Sci, 2007, 50: 1-6

8. Guo Dong-yun, Li Mei-ya, Pei Ling, et al. Preparation and ferroelectric properties of Bi4 Zr0.5Ti2.5O12 thin films on LaNiO3 bottom electrode by the sol-gel method. J. Phys. D: Appl. Phys., 2006, 39: 5033-5036

9. GUO Dongyun, WANG Yunbo, Yu Jun, et al. Effect of Annealing on Ferroelectric Properties of Bi3.25La0.75Ti3O12 Thin Films Prepared by Sol-Gel Method. Journal of Wuhan University of Technology-Materials Science Edition, 2005, 20(4): 20-21

10. 郭冬云,李美亚,刘军 等. Sol-gel法制备Bi3.4Ce0.6Ti3O12铁电薄膜及其性能. 中国科学 E辑:技术科学, 2008, 37: 442-447

11. 郭冬云,李美亚,裴玲 等. Sol-gel法制备Bi4Ti3O12薄膜及其性能研究. 压电与声光, 2007, 29: 683-685

12. 郭冬云,李美亚,刘军 等. LaNiO3底电极上Bi4Zr0.5Ti2.5O12薄膜的制备及性能. 中国科学 E辑:技术科学,2007,37: 667-673

13. 郭冬云,李美亚,裴玲 等. Sol-Gel法制备Bi3.25La0.75Ti3O12铁电薄膜及其性能. 中国科学 E辑:技术科学,2007,37:7-11

14. 郭冬云, 王耘波, 于军, 高俊雄, 李美亚. La掺杂对Bi4Ti3O12薄膜铁电性能的影响. 物理学报,2006,55:548-581

15. 郭冬云, 王耘波, 于军, 王雨田, 王宝义, 魏龙. MFS结构钛酸铋薄膜的C-V特性研究. 功能材料, 2004, 35(2): 180-182

16. 郭冬云, 王耘波, 付承菊, 于军. MEMS器件中的铁电材料. 微纳电子技术, 2004, 41(3): 25-28

17. 郭冬云, 王耘波, 于军 等. Sol-Gel法制备硅基钛酸铋铁电薄膜, 压电与声光, 2004, 26(3): 228-230

18. 郭冬云, 王耘波, 于军 等. Ag/BLT/Bi4Ti3O12/Si结构铁电薄膜制备及其铁电性能的研究. 功能材料, 2004(增刊), 35: 1442-1444

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